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NVMFS5C612NLAFT3G

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Numéro d'article
NVMFS5C612NLAFT3G
Fabricant
AMI Semiconductor / ON Semiconductor
La description
MOSFET N-CH 60V 38A 250A 5DFN
État sans plomb / État RoHS
Sans plomb / conforme à la directive RoHS
Fiche technique
NVMFS5C612NLAFT3G.pdf
Total:$0.377
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Prix ​​de référence
(en dollars américains)
5000 pcs
$0.377

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Produit Paramètre

Numéro d'article
-
Fabricant
AMI Semiconductor / ON Semiconductor
La description
MOSFET N-CH 60V 38A 250A 5DFN
Fiche technique
NVMFS5C612NLAFT3G.pdf
Vgs (th) (Max) @ Id
2V @ 250µA
Vgs (Max)
±20V
La technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Package composant fournisseur
5-DFN (5x6) (8-SOFL)
Séries
Automotive, AEC-Q101
Rds On (Max) @ Id, Vgs
1.36 mOhm @ 50A, 10V
Dissipation de puissance (max)
3.8W (Ta), 167W (Tc)
Emballage
Tape & Reel (TR)
Package / Boîte
8-PowerTDFN, 5 Leads
Température de fonctionnement
-55°C ~ 175°C (TJ)
Type de montage
Surface Mount
Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL)
1 (Unlimited)
Délai de livraison standard du fabricant
42 Weeks
Statut sans plomb / Statut RoHS
Lead free / RoHS Compliant
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds
6660pF @ 25V
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs
91nC @ 10V
type de FET
N-Channel
Fonction FET
-
Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé)
4.5V, 10V
Tension drain-source (Vdss)
60V
Description détaillée
N-Channel 60V 38A (Ta), 250A (Tc) 3.8W (Ta), 167W (Tc) Surface Mount 5-DFN (5x6) (8-SOFL)
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C
38A (Ta), 250A (Tc)

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