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SIDC81D120F6X1SA1

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Numéro d'article
SIDC81D120F6X1SA1
Fabricant
International Rectifier (Infineon Technologies)
La description
DIODE GEN PURP 1.2KV 100A WAFER
État sans plomb / État RoHS
Contient du plomb / Non conforme à RoHS
Fiche technique
SIDC81D120F6X1SA1.pdf
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Produit Paramètre

Numéro d'article
-
Fabricant
International Rectifier (Infineon Technologies)
La description
DIODE GEN PURP 1.2KV 100A WAFER
Fiche technique
SIDC81D120F6X1SA1.pdf
Tension - directe (Vf) (max) @ Si
2.1V @ 100A
Tension - inverse (Vr) (max)
1200V
Package composant fournisseur
Sawn on foil
La vitesse
Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Séries
-
Emballage
Bulk
Package / Boîte
Die
Autres noms
SIDC81D120F6
SIDC81D120F6-ND
SP000014014
Température d'utilisation - Jonction
-55°C ~ 150°C
Type de montage
Surface Mount
Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL)
1 (Unlimited)
Statut sans plomb / Statut RoHS
Contains lead / RoHS non-compliant
Type de diode
Standard
Description détaillée
Diode Standard 1200V 100A (DC) Surface Mount Sawn on foil
Courant - fuite, inverse à Vr
27µA @ 1200V
Courant - Rectifié moyenne (Io)
100A (DC)
Capacité à Vr, F
-

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