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TH58BYG2S3HBAI6

TH58BYG2S3HBAI6 L'image est pour référence seulement, voir les caractéristiques du produit
Numéro d'article
TH58BYG2S3HBAI6
Fabricant
Toshiba Memory America, Inc.
La description
IC FLASH 4G PARALLEL 67VFBGA
État sans plomb / État RoHS
Sans plomb / conforme à la directive RoHS
Fiche technique
TH58BYG2S3HBAI6.pdf
Total:$2.168
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Prix ​​cible(USD)
Qté

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In Stock 18808 pcs

Prix ​​de référence
(en dollars américains)
1 pcs10 pcs25 pcs50 pcs
$2.168$1.979$1.941$1.928
100 pcs338 pcs676 pcs1014 pcs
$1.73$1.723$1.615$1.547

Citation

Produit Paramètre

Numéro d'article
-
Fabricant
Toshiba Memory America, Inc.
La description
IC FLASH 4G PARALLEL 67VFBGA
Écrire le temps de cycle - Word, Page
25ns
Tension - Alimentation
1.7 V ~ 1.95 V
La technologie
FLASH - NAND (SLC)
Package composant fournisseur
67-VFBGA (6.5x8)
Séries
Benand™
Emballage
Tray
Package / Boîte
67-VFBGA
Autres noms
TH58BYG2S3HBAI6JDH
TH58BYG2S3HBAI6YCL
Température de fonctionnement
-40°C ~ 85°C (TA)
Type de montage
Surface Mount
Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL)
3 (168 Hours)
Type de mémoire
Non-Volatile
Taille mémoire
4Gb (512M x 8)
Interface mémoire
Parallel
Format de mémoire
FLASH
Statut sans plomb / Statut RoHS
Lead free / RoHS Compliant
Description détaillée
FLASH - NAND (SLC) Memory IC 4Gb (512M x 8) Parallel 25ns 67-VFBGA (6.5x8)
Temps d'accès
25ns

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